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　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全(quán)风险铜的化合价怎么判断+2和+1的区别，汞的化合价，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据(铜的化合价怎么判断+2和+1的区别，汞的化合价jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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