大(dà)家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，标致307如何更换玻璃水喷头 标致是合资还是国产trong>我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审(shěn)查，目标致307如何更换玻璃水喷头 标致是合资还是国产(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对(duì)外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确(què)保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致下(xià)游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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