大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美(měi)国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存叠罗汉暗示什么意思，为什么男生喜欢叠罗汉储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供(g叠罗汉暗示什么意思，为什么男生喜欢叠罗汉ōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国(guó)限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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