大家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D 古诗《画》的作者是谁？哪个朝代人，画的作者是哪个朝代的诗人NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào古诗《画》的作者是谁？哪个朝代人，画的作者是哪个朝代的诗人) 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的(de)华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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