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　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络攻坚克难与攻艰克难有何区别呢，攻坚克难和攻坚克难有何区别安全审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害(hài)国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.3攻坚克难与攻艰克难有何区别呢，攻坚克难和攻坚克难有何区别5％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的(de)合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维攻坚克难与攻艰克难有何区别呢，攻坚克难和攻坚克难有何区别的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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