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琪琪格蒙语什么意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发消息。

  美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

  据网(wǎng)信办消息,日前,网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

 琪琪格蒙语什么意思 审查发现,美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐患(huàn),对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全(quán)风(fēng)险,影响我国国家安(ān)全(quán)。为此,网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全(quán)审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法规(guī),我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

  此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查(chá),目(mù)的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全,是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng),只要遵(zūn)守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

  半导体突发!中国出手:停(tíng)止(zhǐ)采购!

  3月31日(rì),中国网信网发文(wén)称,为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链安全,防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全风险,维(wéi)护(hù)国(guó)家安全,依据(jù)《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全法》,网络安全琪琪格蒙语什么意思审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办法》,对美(měi)光公司(sī)(Micron)在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

  半(bàn)导体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头,也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头(tóu)之一,2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM (内(nèi)存)市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35%。

  A股上市(shì)公(gōng)司中,江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

  美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降,至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng),采购约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示,江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约,确(què)保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性,巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势,公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有(yǒu)券商此前就分析,如果美光在中国区销售受到(dào)限制,或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士,国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时代,2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽(cáo),催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù),薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75%。自长江存(cún)储被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制名单,设(shè)备国产化进程(chéng)加(jiā)速,看(kàn琪琪格蒙语什么意思)好拓荆科技(薄(báo)膜沉积)等相关公司份额(é)提升,以(yǐ)及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科(kē)(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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