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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司(sī)产品存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人(rén)民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中(zhō2018年中秋节是几月几号，2018年中秋节是哪一天阳历ng)国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至(z2018年中秋节是几月几号，2018年中秋节是哪一天阳历'>2018年中秋节是几月几号，2018年中秋节是哪一天阳历hì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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