大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，苹果xr重量为多少g目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施(sh苹果xr重量为多少gī)安全，是(shì)维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，苹果xr重量为多少g如果美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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