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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施的(de)运(yùn)营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络(luò)翡翠手镯用紫光照为什么会有荧光，翡翠镯子太阳光下有紫色荧光安全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程加速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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