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　　美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安浴资都包括什么 浴资是门票吗(ān)全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害(hài)国(guó)家(jiā)关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司(sī)披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少(浴资都包括什么 浴资是门票吗shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场(chǎng)的(de)供应优势，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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