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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链造成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是(shì)维(wéi)护国家安(ān)全的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，安徽财经大学选课系统，安徽财经大学教务处官网点学生系统未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务(wù)占比较(jiào)高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海安徽财经大学选课系统，安徽财经大学教务处官网点学生系统（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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