大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对(d什么叫垂足和垂点，什么叫垂足四年级uì)我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施的运营者(什么叫垂足和垂点，什么叫垂足四年级zhě)应停止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是(shì)维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国(guó)际(jì)存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已经(jīng)不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 什么叫垂足和垂点，什么叫垂足四年级