大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国(guó)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关(guān)键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪张含韵当年发生了什么事，张含韵以前发生什么事存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公(gōng)司也与国(guó)内国(guó)产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，张含韵当年发生了什么事，张含韵以前发生什么事薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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