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　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重(zhòng)网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法作出不予通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨表示第一的词语四字，古代表示第一的词语询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过(guò)美光等(děng)国际存(cún)储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52表示第一的词语四字，古代表示第一的词语ight: 24px;'>表示第一的词语四字，古代表示第一的词语％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的(de)供应优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加入美国(guó)限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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