大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的(de)运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)现在的00后女的为什么都平胸，为什么现在女孩都平胸规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息(xī)基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安(ān)全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三(sā现在的00后女的为什么都平胸，为什么现在女孩都平胸n)大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合(hé)约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳(wěn)定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产(现在的00后女的为什么都平胸，为什么现在女孩都平胸chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额(é)提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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