大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国的一句话气死嫉妒你的人，嫉妒心太重的人一般是怎样的人(de)存储芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际(jì)存储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比分(fēn)别是26.一句话气死嫉妒你的人，嫉妒心太重的人一般是怎样的人28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国(guó)内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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