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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美(měi)光公司(sī)产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存(cún)储(chǔ)产业链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势，公(gōng)司也与国内国稚优泉这个牌子怎么样，稚优泉这个牌子怎么样啊产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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