大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为(wèi)保障关(guān)键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高选择复句例子十个，选择复句例子5个(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng选择复句例子十个，选择复句例子5个)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关(guān)键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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