大(dà)家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市(shì)场(chǎng900g是几斤 900g是多少毫升)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安全风(fēng)险，维(wéi)护(hù)国(guó)家安全，依(yī)据(jù)《中华人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的(de)存(cún)储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储(chǔ)器的(de)生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的900g是几斤 900g是多少毫升华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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