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朝受命夕饮冰出处,朝受命夕饮冰昼无为夜难眠什么意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发(fā)消息。

  美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

  据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息,日前,网络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

  审查(chá)发现,美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题(tí)隐患,对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险,影响我国国家安全。为此,网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作出(chū)不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规,我国(guó)内关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美(měi)光公司(sī)产品。

  此次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全审查(chá),目的是(shì)防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全,是维护(hù)国家(jiā)安全的(de)必要措施(shī)。中国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水平(píng)对外开放,只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求,欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中国市场(chǎng)。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网(wǎng)信网发文称,为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安(ān)全,防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险,维护国家安全,依(yī)据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全法》,网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》,对(duì)美(měi)光公(gōng)司(Micron)在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  美光(guāng)是(shì)美国(guó)的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头,也是全球存储芯片巨头之(zhī)一,2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

  美(měi)光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降,至少已经不是主要大供应朝受命夕饮冰出处,朝受命夕饮冰昼无为夜难眠什么意思商。

  公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示(shì), 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示,江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长期合约,确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng),巩固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势,公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶朝受命夕饮冰出处,朝受命夕饮冰昼无为夜难眠什么意思(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有券商(shāng)此前就分析,如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制,或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì),国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺(yì)步骤,同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽,催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露,薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75%。自长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单,设(shè)备国产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等相(xiāng)关公司(sī)份额(é)提升,以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入(rù)增长。

 

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