大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题(tí)危(wēi)害(hài)国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是(shì)维护(hù)国家安全的直径26厘米等于多少寸，26厘米等于多少寸英寸(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储(chǔ)芯片行直径26厘米等于多少寸，26厘米等于多少寸英寸业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的(de)供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致直径26厘米等于多少寸，26厘米等于多少寸英寸下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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