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　　美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)对美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维(wéi)护国(guó)家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确(què硝酸银的相对原子质量是多少整数，硝酸银的相对原子ht: 24px;'>硝酸银的相对原子质量是多少整数，硝酸银的相对原子)保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品<硝酸银的相对原子质量是多少整数，硝酸银的相对原子/strong>

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。