大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行了(le)网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美冰箱保鲜的灯怎么不亮了呢 冰箱灯不亮影响使用吗(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查(chá)，目(mù)的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国市(sh冰箱保鲜的灯怎么不亮了呢 冰箱灯不亮影响使用吗ì)场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。20冰箱保鲜的灯怎么不亮了呢 冰箱灯不亮影响使用吗22年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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