大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行了网(w四川的拼音怎么拼写的，四川拼音怎么拼写读音的ǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的(de)必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。<四川的拼音怎么拼写的，四川拼音怎么拼写读音的/p>

　　美光是(shì)美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美国限制名(míng)单(dān)，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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