大家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国(guó亢可以加什么偏旁变成什么字，亢这个字可以加什么偏旁)家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据(jù)等(děng)主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业务(wù)占比较高的亢可以加什么偏旁变成什么字，亢这个字可以加什么偏旁华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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