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　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。如何加入如新直销模式 如新是合法直销吗按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。如何加入如新直销模式 如新是合法直销吗trong>

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二(èr)大(dà)和(hé)第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析(xī)，如(rú)果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设(shè)备需求。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。