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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的(de)结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国(guó)家关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的(de)必要(yào)措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公司（Microwork on的用法以及语法，workon的用法总结n）在华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markitwork on的用法以及语法，workon的用法总结）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更(gèng)多设备(bèi)需求。据(jù)东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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