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马斯克会加入中国国籍吗

马斯克会加入中国国籍吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家(jiā)好,来(lái)看一则突发消息(xī)。

  美(měi)光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

  据网信办消息,日前(qián),网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

  审查发现,美(měi)光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问(wèn)题隐患(huàn),对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风险,影响我国国家安全。为此,网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规(guī),我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

  此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查,目的(de)是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基(jī)础设施安全,是维护国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各(gè)国企业、各(gè)类(lèi)平台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中国市(shì)场(chǎng)。

  半(bàn)导体突(tū)发(fā)!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月(yuè)31日,中(zhōng)国网信网发文称,为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全,防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风险,维护(hù)国(guó)家安全,依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全(quán)法》,网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》,对美光公司(sī)(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。

  半导体突发(fā)!中(zhōng)国(guó)出手:停(tíng)止采购(gòu)!

  美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨头(tóu)之一,2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57%降至2022年(nián)约11%。根据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市(shì)公司中(zhōng),江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商。

  美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降,至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶马斯克会加入中国国籍吗圆供应商,采(cǎi)购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì),江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约,确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性,巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应优势,公(gōng)司也与国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有券商此前就(jiù)分析,如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制,或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士,国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

  分(fēn)析称,长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu),同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的(de)深孔,未(wèi)来可能(néng)会更深的(马斯克会加入中国国籍吗de)孔或者(zhě)沟槽,催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù),薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75%。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制名单,设备(bèi)国产化进程加(jiā)速(sù),看好拓荆科技(薄膜(mó)沉积)等相关公司份额提(tí)升,以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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