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　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安(下午5点到6点是什么时辰 下午5点到6点是什么生肖ān)全(quán)审查。

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建下午5点到6点是什么时辰 下午5点到6点是什么生肖立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有下午5点到6点是什么时辰 下午5点到6点是什么生肖券商此前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售(shòu)受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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