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　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在(zài)较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。辣妹是夸人还是骂人的，辣妹是夸人还是骂人的话为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络(luò)安(ān)全问题(tí)危害(hài)国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供(gōng)应(y辣妹是夸人还是骂人的，辣妹是夸人还是骂人的话īng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三(sān)大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制(zhì)名单(dān)，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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