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　　美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了(le)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国(guó)国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的(de)是(shì)防范产品网络安(ān)全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基(社日节是什么节日 社日节是农历几月初几jī)础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场(chǎng)的(de)供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购国外(wài)三星、 社日节是什么节日 社日节是农历几月初几SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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