大家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ豫n是河南哪里的车牌)规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平(píng)台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络(luò)安(ān)全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益豫n是河南哪里的车牌(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名(mí豫n是河南哪里的车牌ng)单(dān)，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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