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　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定推(tuī)进高水平(píng)对(duì)外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列白头发从哪开始白，白头发从发梢开始白是什么原因江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在中国(guó)区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。