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　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础设施的(de)运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键(jiàn)信(xìn)小明王是谁的后代 小明王是男是女息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)小明王是谁的后代 小明王是男是女称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司(sī)披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益。存储器(qì)的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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