大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全(quán)。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施安做梦梦到孟婆是什么意思，始于月老终于孟婆是什么意思全(quán)，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国(guó)家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公(做梦梦到孟婆是什么意思，始于月老终于孟婆是什么意思gōng)司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限制，或(huò)将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤，同(tó做梦梦到孟婆是什么意思，始于月老终于孟婆是什么意思ng)时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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