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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安(ān)全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披(pī)露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙(l闯关东三个儿子的结局，闯关东三个媳妇的结局óng)第一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì闯关东三个儿子的结局，闯关东三个媳妇的结局)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能(néng)会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设(shè)备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务(wù)占比较高(gāo)的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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