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张镇风现在干嘛呢张镇风现状简介,张镇风现在在干嘛 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则(zé)突发消息(xī)。

  美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)

  据网信办消息,日前,网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络(luò)安(ān)全审查。

  审查发现,美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患,对(duì)我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险,影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此,网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通(tōng)过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规(guī),我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司(sī)产品。

  此次对(duì)美光(guāng)公司(sī)产品进(jìn)行网络安(ān)全审查,目的(de)是防范产品网络安(ān)全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安(ān)全,是(shì)维护(hù)国家安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放,只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求,欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

  半导体突(tū)发!中国(guó)出手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供应链安全,防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安全风险,维护国家安(ā张镇风现在干嘛呢张镇风现状简介,张镇风现在在干嘛n)全,依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》,网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》,对(duì)美光公(gōng)司(Micron)在华(huá)销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头张镇风现在干嘛呢张镇风现状简介,张镇风现在在干嘛,也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī),2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57%降(jiàng)至(zhì)2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为(wèi) 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

  美(měi)光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著(zhù)下降,至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应(yīng)商。

  公告(gào)显示, 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示(shì),江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约,确保存(cún)储晶圆供应的稳定性,巩固公司(sī)在(zài)下游市场的(de)供应优势,公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

  有券商此前就分(fēn)析,如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限制,或将导致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤,同时刻蚀(shí)目前(qián)前(qián)沿要刻到(dào) 60:1的深(shēn)孔,未来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽,催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露(lù),薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75%。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单,设备(bèi)国产(chǎn)化进程加(jiā)速,看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(薄(báo)膜沉(chén)积(jī))等(děng)相关公司份额提升,以及存(cún)储业务占比较高的华海清(qīng)科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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