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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安(ān)全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露(lù)过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(可口可乐的创始人是谁，雪碧创始人是谁chǎn)业链(liàn)上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 S可口可乐的创始人是谁，雪碧创始人是谁K海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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