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　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的(de)运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台八千米多少公里产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网八千米多少公里络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在(zài)下游(yóu)市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(八千米多少公里gèng)多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美(měi)国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化(huà)进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及存(cún)储业务(wù)占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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