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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)供应链造成重大(dà1h等于多长时间怎么算，1h等于多少时间)安全风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在1h等于多长时间怎么算，1h等于多少时间下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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