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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查(瓦格纳是哪个国家的，瓦格纳集团是什么组织chá)，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司瓦格纳是哪个国家的，瓦格纳集团是什么组织中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客(kè)户转而(ér)采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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