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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的(de)产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施(shī离婚多久复婚的概率最大，离婚多久复婚的概率最大呢)供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防(fáng)范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共(gòng)和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下(xià)游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国限制名单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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