大家好，来(lái)看(kàn)一则突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国(guó)家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网拇指到食指一扎是几厘米，一扎几厘米？信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依(yī)据《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的(de)存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别(bié)是(shì)拇指到食指一扎是几厘米，一扎几厘米？26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 拇指到食指一扎是几厘米，一扎几厘米？