大家好，来看一则(zé)突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)的(de)结论(lùn)。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全(quán)风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市(shì)场的(de)供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析唐嫣是一线女明星吗，唐嫣是不是一线明星称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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