大家好，来看(kàn)一(yī)则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全(quán)风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络(luò)安全审查(chá)的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额(é)占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要裤子175是几个x(yào)经过薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长。

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