大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公(gōng)司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场(chǎng)收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存(cún)储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zh区位条件要从哪些方面分析学校，区位条件要从哪些方面分析出来e-height: 24px;'>区位条件要从哪些方面分析学校，区位条件要从哪些方面分析出来ǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比较高的(de)华(huá区位条件要从哪些方面分析学校，区位条件要从哪些方面分析出来)海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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