大家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全(quán)问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保障关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)供应链安(ān)全(quán)，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实(shí)施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市(shì)场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和羽生结弦说为什么努力得不到回报，羽生结弦近视多少度5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)羽生结弦说为什么努力得不到回报，羽生结弦近视多少度ng>

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。