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恒星年和回归年的区别通俗易懂的,恒星年和回归年的区别原因

恒星年和回归年的区别通俗易懂的,恒星年和回归年的区别原因 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则(zé)突发(fā)消(xiāo)息(xī)。

  美(měi)光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

  据(jù)网信办消(xiāo)息,日前,网络安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

  审(shěn)查发现,美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患,对我国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风(fēng)险,影响我国国家安全。为(wèi)此,网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规(guī),我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

  此次对(duì)美(měi)光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查,目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全,是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放,只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求,欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场。

  半导体突发!中(zhōng)国(guó)出(chū)手(shǒu):停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)!

  3月31日,中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称,为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供应链安全,防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风险,维护国家安全,依据(jù)《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》,网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》,对美(měi)光公司(Micron)在(zài)华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

  半导体(tǐ)突发!中国(guó)出手:停止采购!

  美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行(xíng)业龙头(tóu),也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一,2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额约为(wèi) 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司(sī)供应(yīng)商。

  美光(guāng)在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下降,至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

  公告显示, 恒星年和回归年的区别通俗易懂的,恒星年和回归年的区别原因2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商,采购(gòu)约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第(dì)一大、第二(èr)大(dà)和(hé)第(dì)三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示(shì),江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约(yuē),确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性,巩(gǒng)固公(gōng)司在下(xià)游市场的(de)供应优势,公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉恒星年和回归年的区别通俗易懂的,恒星年和回归年的区别原因长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作。

  有券(quàn)商此前就(jiù)分析,如果美光在中国区销售受到限制(zhì),或(huò)将导致下游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士,国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤,同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽,催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露,薄膜沉(chén)积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75%。自长江存储被加入(rù)美国限制名(míng)单,设备国产化进(jìn)程(chéng)加速,看好拓荆科技(薄膜(mó)沉积)等相关公司份额(é)提升,以及存(cún)储业务占比较高的华海清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收入增长(zhǎng)。

 

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