大家好，来看(kàn)一则(zé)突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施的(de)运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网(wǎng)广西属于南方还是北方络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞广西属于南方还是北方对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线广西属于南方还是北方资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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