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主谓双宾和主谓宾宾补的区别 例子,主谓宾双宾和主谓宾宾补 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发消息。

  美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网络安全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全(quán)审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn),对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全风(fēng)险,影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此,网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规,我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公司(sī)产品。

  此(cǐ)次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审查,目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全,是维护国家(jiā)安全(quán)的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放,只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求,欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发(fā)文(wén)称(chēng),为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)安全,防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险,维护国家安全,依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》,网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的(de)产品实施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查。

  半导(dǎo)体突发!中(zhōng)国出手(shǒu):停(tíng)止采购(gòu)!

  美光是(shì)美(měi)国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头,也(yě)是全球存储芯片巨头之一,2022年收入来自(zì)中国(guó)市(shì)场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM (内存)市(shì)场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)主谓双宾和主谓宾宾补的区别 例子,主谓宾双宾和主谓宾宾补已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng),至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

  公(gōng)告显示, 2021年美(měi)光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商,采购约(yuē)31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē),确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性,巩固(gù)公司在下游市场的供应优势,公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

  有券(quàn)商此前(qián)就分析,如果美光在中国区销售受到限制(zhì),或将导(dǎo)致下(xià)游客户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士(shì),国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

  分析(xī)称,长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代,2 维到3维(主谓双宾和主谓宾宾补的区别 例子,主谓宾双宾和主谓宾宾补wéi)的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60:1的深孔,未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽,催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露,薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计(jì)为75%。自长主谓双宾和主谓宾宾补的区别 例子,主谓宾双宾和主谓宾宾补江存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限制名单(dān),设备(bèi)国产化进程加(jiā)速,看好(hǎo)拓荆科(kē)技(薄膜沉积)等相关公司份(fèn)额提升,以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科(kē)(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收入增长。

 

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